Πέμπτη
04/02/2010

Intel, Μνήμη NAND στα 25nm

H Intel Corporation και η Micron Technology, Inc. ανακοίνωσαν την παγκοσμίως πρώτη NAND στα 25-nanometer (nm), η οποία παρέχει έναν οικονομικότερο τρόπο για να αυξηθεί ο αποθηκευτικός χώρος σε δημοφιλείς καταναλωτικές συσκευές όπως τα smartphones, τα personal music και media players (PMPs), καθώς επίσης και στη νέα κατηγορία των solid-state drives (SSD) υψηλής απόδοσης.

Οι μνήμες NAND flash χρησιμοποιούνται σε προϊόντα καταναλωτικών ηλεκτρονικών για την αποθήκευση data ή άλλων αρχείων media, διατηρώντας τις αποθηκευμένες πληροφορίες ακόμη και όταν η συσκευή είναι εκτός λειτουργίας. Η ανάπτυξη της τεχνολογίας για την κατασκευή όλο και μικρότερων στοιχείων μνήμης NAND δίνει τη δυνατότητα για νέες εφαρμογές και περαιτέρω ανάπτυξη όσον αφορά τις πιθανές χρήσεις τους. Η τεχνολογία των 25nm δεν αποτελεί μόνον μια τεχνολογία κατασκευής της πιο μικρής πύλης NAND, αλλά είναι η τεχνολογία κατασκευής των μικρότερων ημιαγωγών στον κόσμο, η οποία μας δίνει τη δυνατότητα να αποθηκεύσουμε όλο και περισσότερα αρχεία μουσικής, βίντεο ή data στις σύγχρονες ηλεκτρονικές συσκευές και τους υπολογιστές μας.

Η τεχνολογία των 25nm θα επιτρέψει στην IM Flash Technologies (IMFT), την κοινοπραξία της Intel και της Micron για τις μνήμες NAND flash, να προχωρήσει στην κατασκευή μνήμης 8 gigabytes (GB) σε μία και μόνο κυψέλη NAND, δημιουργώντας έτσι storage υψηλής χωρητικότητας για τα σύγχρονα μικροσκοπικά gadgets της αγοράς των καταναλωτικών προϊόντων. Με φυσικές διαστάσεις που δεν ξεπερνούν τα 167mm2 , η μνήμη αυτή θα είναι αρκετά μικρή για να περάσει μέσα από την τρύπα που βρίσκεται στο κέντρο ενός ψηφιακού δίσκου (CD), αλλά θα καταφέρει να αποθηκεύει 10 φορές περισσότερα δεδομένα σε σύγκριση με αυτόν (ένα τυπικό CD μπορεί να αποθηκεύσει 700 megabytes από data).

Η μνήμη των 8GB, κατασκευασμένη με τεχνολογία 25nm, βρίσκεται σε στάδιο δειγματισμού και αναμένεται να περάσει σε μαζική παραγωγή το δεύτερο τρίμηνο του 2010. Η μνήμη αυτή προσφέρει στους κατασκευαστές καταναλωτικών ηλεκτρονικών multi-level memory cells με τη μεγαλύτερη δυνατή χωρητικότητα, που φτάνει στο επίπεδο των 2 bits ανά κυψέλη, και διστάσεις που είναι σύμφωνες με το καθιερωμένο πρότυπο του κλάδου, το small-outline package (TSOP). Πολλά στοιχεία των 8GB μπορούν να ενσωματωθούν σε ένα μόνο περίβλημα (package), αυξάνοντας τη χωρητικότητα ανά μονάδα επιφάνειας. Το νέο στέλεχος των 8GB τεχνολογίας 25nm, οδηγεί στη μείωση του αριθμού των τσιπ κατά 50 τοίς εκατό, σε σύγκριση με τις παλαιότερες τεχνολογίες . Έτσι δίνει τη δυνατότητα για μνήμες μεγαλύτερης χωρητικότητας που έχουν μικρότερες διαστάσεις και χαμηλότερο κόστος παραγωγής. Για παράδειγμα, ένα solid-state drive (SSD) με χωρητικότητα 256GB, μπορεί πλέον να κατασκευαστεί με μόλις 32 τέτοια στοιχεία μνήμης (έναντι 64 της προηγούμενης τεχνολογίας), ενώ για ένα smartphone των 32GB χρειάζονται μόλις τέσσερα, και για ένα φλασάκι των 16GB απαιτούνται μόνο δύο.

Μάθε για:

Συντάκτης: .


Ένα Σχόλιο

  1. Ο/Η Staf λέει:

    E ρε η Ιntel.Tωρα μενει και η νανο-υδροψυξη..Αντε ξεχαστε τα φανακια..

Η γνώμη σας

Παρακαλούμε σχολιάστε με ελληνικούς πεζούς χαρακτήρες, όχι greeklish.

Πατώντας "Αποστολή" αποδέχεστε τους Όρους Χρήσης.