Αφότου η TSMC δημοσιοποίησε τoν οδικό της χάρτη, αποκαλύπτοντας πότε περίπου περιμένουμε τσιπ 3nm και 2nm, τώρα ήρθε η σειρά της Samsung να ανακοινώσει την έναρξη παραγωγής των τσιπ ημιαγωγών 3nm στο εργοστάσιο Hwaseong στη Νότια Κορέα.
Η εταιρεία προχωρά σε μια νέα αρχιτεκτονική, ανταλλάσσοντας το FinFET (τρανζίστορ εφέ πεδίου πτερυγίων) με το GAA (Gate All Around). Το GAA προσφέρει πολλά πλεονεκτήματα σε σχέση με το FinFET, με κυριότερο την υψηλότερη απόδοση ισχύος.
Ακόμα μια νέα τεχνολογία της Samsung είναι η κατασκευή τρανζίστορ νανοφύλλων που αντικαθιστά την τεχνολογία νανοσύρματος, ενισχύοντας ξανά την απόδοση.
Συγκρίνοντας τον νέο κόμβο 3nm με την παλιά διαδικασία κατασκευής των 5nm, η Samsung αναφέρει ότι τα νέα τσιπ θα πρέπει να έχουν 23% βελτιωμένη απόδοση, 45% μειωμένη χρήση ενέργειας και μείωση επιφάνειας κατά 16%. Και αυτή είναι μόνο η πρώτη γενιά πυριτίου 3nm.
Η δεύτερη γενιά λέγεται ότι θα φέρει μια τεράστια αύξηση 50% στην απόδοση ισχύος, 30% καλύτερη απόδοση και 35% λιγότερη επιφάνεια.
Ακόμα, ο πρώτος επεξεργαστής smartphone 3nm που θα βγει από το εργοστάσιο πιθανότατα θα είναι ο Exynos 2300 επόμενης γενιάς (S5E9935 κωδικός όνομα Quadra).
Χρησιμοποιούμε cookies για να παρέχουμε την καλύτερη δυνατή εμπειρία.