Snapdragon 835: “Made by Samsung” στα 10nm και Quick Charge 4

Πριν από οποιαδήποτε επίσημη ανακοίνωση υπάρχουν πάντα οι σχετικές διαρροές, κάτι που δεν έλειψε και στην περίπτωση της Qualcomm. Οι πληροφορίες την ήθελαν να συνεργάζεται με την Samsung για την κατασκευή του mobile επεξεργαστή Snapdragon 835.

Σήμερα η Qualcomm το ανακοίνωσε και επίσημα ότι θα συνεργαστεί με την Samsung, και η κατασκευή θα πραγματοποιηθεί με τη διαδικασία 10nm FinFET.

Σύμφωνα με την Qualcomm, η διαδικασία 10nm FinFET βοηθά στο να καταλαμβάνεται έως και 30% λιγότερος χώρος, προσφέρει 27% καλύτερη απόδοση και 40% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας. Το νέο chip θα επιτρέψει στους κατασκευαστές να δημιουργήσουν μικρότερες συσκευές ή να συμπεριλάβουν άλλα κομμάτια.

Ο νέος επεξεργαστής θα είναι επίσης ο πρώτος που θα έρθει με Quick Charge 4. Η Qualcomm αναφέρει ότι το Quick Charge 4 παρέχει 20% πιο γρήγορη φόρτιση και 30% καλύτερη αποδοτικότητα από το Quick Charge 3. Αυτό γίνεται χάρη στην τεχνολογία Dual Charge παράλληλης φόρτισης. Υποστηρίζει επίσης USB-C και USB Power Delivery standards, που σημαίνει ότι θα μπορείς να φορτίζεις γρήγορα USB-PD συσκευές όπως τα Nexus και Pixel, αλλά και νέα USB-C MacBooks χρησιμοποιώντας Quick Charge 4 φορτιστή.

Το Quick Charge 4 περιλαμβάνει τρίτης γενιάς INOV ή Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, που παρέχει real-time διαχείρηση ενέργειας. Η Qualcomm εισάγει επίσης δυο νέα power management ICs, SMB1380 και SMB1381, τα οποία έχουν χαμηλή αντίσταση, έως και 95% μέγιστη αποδοτικότητα και προηγμένα features γρήγορης φόρτισης

Ο Snapdragon 835 αναμένεται να μπει στις συσκευές του πρώτου τριμήνου του 2017.

Πηγή