Στον τομέα της τεχνολογίας είναι σύνηθες φαινόμενο μεγάλες εταιρείες (βλέπε Samsung, Apple, Google, Microsoft κλπ.), να μηνύουν η μια την άλλη για παραβίαση διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας. Η συχνή κατάληξη των μηνύσεων αυτών είναι η μια πλευρά να δέχεται να πληρώσει ένα συγκεκριμένο ποσό στην άλλη.
Ωστόσο, οι μηνύσεις δεν γίνονται μόνο σε επίπεδο μεγάλων ονομάτων. Στην συγκεκριμένη περίπτωση, η Samsung φαίνεται πως θα έρθει αντιμέτωπη με μήνυση για παραβίαση πατέντας που σχετίζεται με την τεχνολογία FinFET. Πρόκειται για την τεχνολογία που θα χρησιμοποιηθεί στον κορυφαίο επεξεργαστή της Qualcomm, Snapdragon 835, αλλά και στον δικό της Exynos που προορίζεται για Samsung Galaxy S8.
Σύμφωνα με τα κορεάτικα media, το Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), μα βάση στις ΗΠΑ, ετοιμάζεται να καταθέσει μήνυση στη Samsung για παραβίαση πατέντας. Όπως φαίνεται ήταν το KAIST που ανέπτυξε την τεχνολογία 10nm FinFET, που ετοιμάζεται να χρησιμοποιήσει η Samsung στα chips.
Αναφέρεται ότι η Samsung έκλεψε την τεχνολογία, όταν κάλεσε τον Lee Jong-ho, καθηγητή του Seoul National University, συνεργάτη του KAIST για την τεχνολογία FinFET, να δείξει στους μηχανικούς της πως λειτουργεί η τεχνολογία. Με τη σειρά της η Samsung “μπόρεσε να μειώσει τον χρόνο ανάπτυξης και το κόστος, αντιγράφοντας την εφεύρεση του Lee, χωρίς κόστος. Το πρόβλημα είναι ότι συνέχισε να χρησιμοποιεί την εφεύρεση χωρίς να έχει την άδεια ή να πληρώνει το απαραίτητο ποσό”.
Η Intel αναγνωρίζει ότι το KAIST είναι ο πραγματικός δημιουργός της τεχνολογίας FinFET και ήδη έχει πάρει την άδεια για να την χρησιμοποιήσει, αλλά η Samsung δεν έχει κάνει ακόμη το βήμα. Εκτός από την Samsung, στο στόχαστρο της KAIST μπαίνουν εταιρείες όπως Qualcomm και TSMC, για την παραβίαση των πατεντών.
ΣΥΖΗΤΗΣΗ
Προσθήκη σχόλιου