Η IBM μπορεί τα τελευταία χρόνια να μην βρίσκεται στην πρώτη γραμμή των καινοτομιών σε σύγκριση με άλλα mainstream ονόματα, όμως συνεχίζει να επενδύει στην έρευνα. Σήμερα έκανε μια πολύ ενδιαφέρουσα ανακοίνωση για νέα επαναστατικά chip τα οποία είναι κατασκευασμένα με την διαδικασία των 7nm και είναι λειτουργικά.
Το συγκεκριμένο επίτευγμα είναι αποτέλεσμα μιας επένδυσης 3 δισεκατομμυρίων δολαρίων για έρευνα σε συνεργασία με την Global Foundries, την Samsung και διάφορα πανεπιστημιακά ιδρύματα. Τα νέα chips δημιουργήθηκαν από πυρίτιο-γερμάνιο αντί για καθαρό πυρίτιο, και θεωρητικά επιτρέπει την κατασκευή επεξεργαστών με πάνω από 20 δισ. transistors. Αυτό είναι περίπου 4 φορές πάνω από τον αριθμό transistors που χρησιμοποιούνται σήμερα.
Η διαδικασία των 7nm είναι το επόμενο βήμα από τα 10nm, τα οποία θα τα δούμε σε συσκευές από το τέλος του 2016, ενώ αυτή τη στιγμή σε καταναλωτικά προϊόντα η πιο εξελιγμένη διαδικασία που έχουμε είναι τα 14nm, του Exynos 7420 που χρησιμοποιείται στο Samsung Galaxy S6.
Το μεγαλύτερο πρόβλημα που έχουν να αντιμετωπίσουν τα chips όταν γίνονται όλο και μικρότερα, είναι η υπερθέρμανση. Όμως η IBM φαίνεται πως κατάφερε να το αντιμετωπίσει με νέα υλικά και διαδικασία ενσωμάτωσης. Αξίζει επίσης να σημειωθεί ότι το να εργάζονται σε μια τόσο μικρή κλίμακα, παρουσιάζει επίσης νέες επιστημονικές προκλήσεις, καθώς βγαίνουμε λίγο έξω από τη σφαίρα της παραδοσιακής φυσικής.
Η Samsung εργάζεται ήδη για την τεχνολογία των 10nm FinFET, όπως και η Intel, όμως τα 7nm είναι ακόμη πιο εντυπωσιακά. Η IBM υποστηρίζει ότι μπορεί να φέρει μέχρι και 50% βελτίωση στην απόδοση.
Ωστόσο, μέχρι να δούμε την τεχνολογία αυτή να εφαρμόζεται στα gadgets που κρατάμε στα χέρια μας, θα πρέπει να περάσει πολύς καιρός, ενώ να υπενθυμίσουμε ότι η Samsung είχε πει πως θεωρητικά “δεν υπάρχει καμία τεχνική δυσκολία να μειώσουμε την τεχνολογία των ημιαγωγών στα 5nm”. Όπως και να έχει, το μέλλον προβλέπεται σίγουρα εντυπωσιακό.
Επεξεργάστηκε την 9 Ιουλίου 2015 14:44
Χρησιμοποιούμε cookies για να παρέχουμε την καλύτερη δυνατή εμπειρία.
Σχόλια
από ότι διάβασα στα 7nm είναι όριο για την σιλικόνη για αυτό έχουν βάλει germanium + si μετά από οτι διάβασα πάει 5 nm σε καθαρό germanio, και ανάλογα πως θα φερθει στα 5 το γερμανιο μπορεί να πάνε στα 3, κάπου εκεί είναι και το οριο τους λόγο ότι τα άτομα πλέον θα είναι πολύ κοντά
Τελικα ο νομος του Moore φαίνεται να είναι το ίδιο ισχυρός οσο και ο νομος του Murphy.
Μόνο που 2 χρόνια μετά τα 7nm ο νόμος του Moore θα πέσει έξω, στα 5nm θα πάνε όχι στα 3.5nm :P
Αρα ο νομος του Murphy ειναι πιο ισχυρός :-)
Περα απο την πλάκα, νομιζω οτι ο moore προεβλεψε οτι ο αριθμος των τρανζίστορ θα διπλασιάζεται ανα διετια, αρα υποεκτιμα τη βελτιωση που θα προκύψει με τα 7nm, με βαση το άρθρο.