Samsung Galaxy S25, S26 & S27: Ο οδικός χάρτης αποκαλύπτει τα UFS τσιπ που έρχονται στις ναυαρχίδες

Samsung Galaxy S25, Samsung Galaxy S25, S26 & S27: Ο οδικός χάρτης αποκαλύπτει τα UFS τσιπ που έρχονται στις ναυαρχίδες

Ένας οδικός χάρτης που κυκλοφόρησε από τη Samsung Semiconductor αποκαλύπτει τι έχει σχεδιάσει ο κατασκευαστής μέχρι το 2027 για τα τσιπ UFS των ναυαρχίδων της.

Τα UFS (Universal Flash Storage προσφέρουν μια γρήγορη και αξιόπιστη επιλογή αποθήκευσης για smartphone που θα φορτώνουν επίσης εφαρμογές γρήγορα, θα έχουν ταχύτερη πρόσβαση στα δεδομένα και θα προσφέρουν συνολικά καλύτερη εμπειρία από προηγούμενες επιλογές αποθήκευσης που χρησιμοποιήθηκαν πριν από μια δεκαετία, όπως οι ενσωματωμένες κάρτες πολυμέσων (eMMC). Η Samsung χρησιμοποίησε τα δικά της τσιπ UFS για τις ναυαρχίδες Galaxy 23 και Galaxy S24.

Τον Μάιο του 2022, η Samsung παρουσίασε το UFS 4.0 σημειώνοντας ότι προσέφερε εύρος ζώνης έως και 23,2 Gbps ανά λωρίδα, διπλάσιο από αυτό του UFS 3.1. Τότε, η εταιρεία είπε ότι το UFS 4.0 είναι «ιδανικό για smartphone 5G που απαιτούν τεράστιες ποσότητες επεξεργασίας δεδομένων». Το UFS 4.0 διαθέτει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης έως 4,2 GB/s και διαδοχικές ταχύτητες εγγραφής έως 2,8 GB/s.

Τα αναδιπλούμενα του 2024 της Samsung, Galaxy Z Fold 6 και Galaxy Z Flip 6, τα οποία αναμένεται να κυκλοφορήσουν αυτό το καλοκαίρι, θα χρησιμοποιούν πιθανώς το UFS 4.0, όπως και οι προκάτοχοί τους του 2023. Τα αναδιπλούμενα του 2022 (Galaxy Z Fold 4, Galaxy Z Flip 4) χρησιμοποιούσαν UFS 3.1.

Ο οδικός χάρτης της Samsung Semiconductor δείχνει ότι το UFS 4.04 έρχεται το επόμενο έτος και υπάρχει μεγάλη πιθανότητα η ναυαρχίδα της σειράς Galaxy S25 της Samsung να είναι το smartphone με το οποίο θα κάνει ντεμπούτο. Ένα γράφημα που κυκλοφόρησε στην πλατφόρμα κοινωνικών μέσων Weixin από τη θυγατρική της Samsung δείχνει ότι οι διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης θα διπλασιαστούν σχεδόν στα 8 GB/sec. Το ίδιο τσιπ UFS 4.04 θα χρησιμοποιηθεί στη σειρά Galaxy S26.

Και το 2027, το ντεμπούτο του UFS 5.0 θα πραγματοποιηθεί στη σειρά Galaxy S27 με διαδοχική ταχύτητα ανάγνωσης κοντά στα 10 GB/sec. Η βελτίωση του χρόνου διαδοχικής ανάγνωσης, λέει η Samsung, μειώνει τον χρόνο φόρτωσης του μοντέλου για να βελτιώσει το UX (εμπειρία χρήστη) μιας τηλεφωνικής γραμμής.

Η μαζική παραγωγή της λωρίδας UFS 4.04 θα ξεκινήσει πριν από το 2025 και θα συνδυάζει δύο ελεγκτές UFS για μεγαλύτερες διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης. Η βελτίωση των δυνατοτήτων αποθήκευσης UFS και η αύξηση της ταχύτητας UFS θα βοηθήσουν τη Samsung να προσφέρει περισσότερες δυνατότητες τεχνητής νοημοσύνης για τα smartphone της.

Ο Αντώνης Γιαγδζόγλου είναι δημοσιογράφος με πολλές συνεργασίες με online μέσα. Αρθρογραφεί για νέες τεχνολογίες και τεχνολογίες που βελτιώνουν τη ζωή μας ενώ συνεργάζεται με διαφημιστικές εταιρείες και διαχειρίζεται social media επιχειρήσεων.

Ακολουθήστε το Techblog.gr στο Google News για να μάθετε πρώτοι όλες τις ειδήσεις τεχνολογίας. Αν χρησιμοποιείτε RSS προσθέστε το Techblog στη λίστα σας https://techblog.gr/feed/.

ΣΥΖΗΤΗΣΗ

Παρακολουθήστε τα σχόλια
Να ειδοποιηθώ όταν
guest

0 Σχόλια
Inline Feedbacks
View all comments

ΔΙΑΒΑΣΤΕ ΕΠΙΣΗΣ

Smartphones Samsung Samsung Galaxy

Samsung Galaxy Z Flip 7: Φήμες ότι θα έρθει με σύστημα τριπλής κάμερας

Το Galaxy Z Flip 6 δεν έχει κυκλοφορήσει ακόμα, αλλά οι φήμες για το Z Flip 7 έχουν κάνει ήδη την εμφάνισή τους.

Smartphones featured Samsung Samsung Galaxy

Samsung Galaxy S24 FE: Επιβεβαιώθηκε το όνομα από εταιρεία κινητής τηλεφωνίας του Ην. Βασιλείου

Εδώ και καιρό ακούγεται ότι η Samsung ετοιμάζει το Galaxy S24 FE, το οποίο θα κυκλοφορήσει στα τέλη του 2024.

Software AI featured Google

One UI 6.1.1: Φήμες ότι θα φέρει το “βίντεο ΑΙ” στις συσκευές Samsung

To One UI 6.1.1 φημολογείται ότι θα φέρει μια νέα δυνατότητα τεχνητής νοημοσύνης στις συσκευές της Samsung.

Smartphones Samsung Samsung Galaxy Samsung Galaxy Z Flip

Samsung Galaxy Z Flip 6: Ανατροπή στην ανατροπή – Με Snapdragon 8 Gen 3 και 8GB RAM

Πρόσφατες φήμες ήθελαν το Samsung Galaxy Z Flip 6 να έρχεται με ξεπερασμένο επεξεργαστή Snapdragon 8 Gen 2 αλλά και τεράστια μνήμη RAM 12 GB.