Η Samsung ξεκινά την μαζική παραγωγή των νέων υψηλότερης χωρητικότητας DRAM chip. Το νέο chip της εταιρείας είναι το πρώτο low-power double data rate 4x (LPDDR4X) package στα 12GB και θα ενσωματωθεί στα premium smartphone της επόμενης γενιάς.
Η χωρητικότητα 12GB επετεύχθη με τον συνδυασμό έξι (6) LPDDR4X τσιπ, 16-gigabit έκαστο, με βάση την επεξεργασία δεύτερης γενιάς της τάξεως 10nm (1y-nm), σε μια μόνο συσκευασία, απελευθερώνοντας περισσότερο χώρο για την μπαταρία του smartphone. Επιπρόσθετα, χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 1y-nm της Samsung, η νέα 12GB mobile μνήμη εξασφαλίζει ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων που φτάνει τα 34.1GB ανά δευτερόλεπτο, ενώ μειώνει την αναπόφευκτη αύξηση κατανάλωσης ενέργειας που προκαλείται από την ενίσχυση της DRAM χωρητικότητας.
ΣΥΖΗΤΗΣΗ