Η Samsung ξεκινά την μαζική παραγωγή των νέων υψηλότερης χωρητικότητας DRAM chip. Το νέο chip της εταιρείας είναι το πρώτο low-power double data rate 4x (LPDDR4X) package στα 12GB και θα ενσωματωθεί στα premium smartphone της επόμενης γενιάς.
Η χωρητικότητα 12GB επετεύχθη με τον συνδυασμό έξι (6) LPDDR4X τσιπ, 16-gigabit έκαστο, με βάση την επεξεργασία δεύτερης γενιάς της τάξεως 10nm (1y-nm), σε μια μόνο συσκευασία, απελευθερώνοντας περισσότερο χώρο για την μπαταρία του smartphone. Επιπρόσθετα, χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 1y-nm της Samsung, η νέα 12GB mobile μνήμη εξασφαλίζει ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων που φτάνει τα 34.1GB ανά δευτερόλεπτο, ενώ μειώνει την αναπόφευκτη αύξηση κατανάλωσης ενέργειας που προκαλείται από την ενίσχυση της DRAM χωρητικότητας.
Επεξεργάστηκε την 14 Μαρτίου 2019 19:18
Χρησιμοποιούμε cookies για να παρέχουμε την καλύτερη δυνατή εμπειρία.