Μια νέα μέθοδο κατασκευής επεξεργαστών που θα μπορούν να περιορίζουν την κατανάλωση ενέργειας των συστημάτων ή συσκευών στις οποίες θα τοποθετούνται κατά 85%, ανακοίνωσαν η IBM και η Samsung.
Μια νέα μέθοδο κατασκευής επεξεργαστών που θα μπορούν να περιορίζουν την κατανάλωση ενέργειας των συστημάτων ή συσκευών στις οποίες θα τοποθετούνται κατά 85%, ανακοίνωσαν η IBM και η Samsung. Θεωρητικά, δηλαδή, κινητά τηλέφωνα με αυτά τα τσιπάκια θα μπορούν να λειτουργούν για χρονικό διάστημα μιας εβδομάδας χωρίς να χρειάζονται φόρτιση.
Στους επεξεργαστές, είτε πρόκειται για CPU είτε SoC, τα τρανζίστορ είναι τοποθετημένα οριζοντίως στην επιφάνεια του πυριτίου με το ηλεκτρικό ρεύμα να ρέει από πλευρά-σε-πλευρά. Η IBM και η Samsung, ωστόσο, ανέπτυξαν μια νέα αρχιτεκτονική που ονομάστηκε VTFET (vertical field effect transistors) και τοποθετεί τα τρανζίστορ σε κάθετη διάταξη με το ηλεκτρικό ρεύμα να κινείται κατακόρυφα.
Σύμφωνα με τις δύο εταιρείες, με τον σχεδιασμό αυτό παράγεται ρεύμα μεγαλύτερης έντασης, γεγονός που συνεπάγεται μικρότερες ενεργειακές απώλειες.
Οι εφαρμογές των νέων τσιπ VTFET είναι πολλές και ξεκινούν από την μεγάλη αυτονομία σε ηλεκτρονικές συσκευές ως και δραστηριότητες που απαιτούν τεράστιες ποσότητες ενέργειας όπως η «εξόρυξη» κρυπτονομισμάτων.
Η Samsung φέρνει την υπηρεσία Premium+ στην Ελλάδα για Galaxy Z, Galaxy S26 και τηλεοράσεις άνω των 98 ιντσών, με fast track υποστήριξη και προτεραιότητα στο service.
Η Samsung επιταχύνει την τεχνολογία silicon photonics και στοχεύει σε πλήρη ενσωμάτωση με AI chips έως το 2028, με νέο roadmap που φτάνει μέχρι AI XPU συστήματα το 2029.
ΣΥΖΗΤΗΣΗ
Προσθήκη σχόλιου